埃米

AI點燃半導體技術創新競賽，隨著埃米（angstorm）世代到來，為了讓晶圓內容納更多電晶體，把電源從正面翻到背後的「晶背供電」（BSPDN）技術，已成兵家必爭之地。本刊調查，該技術得透過晶圓減薄及奈米矽穿孔（nTSV）等方式實現，而台廠正聯袂助攻護國神山力甩英特爾、三星2強，包括鑽石碟研磨耗材商中砂、原子層沉積（ALD）薄膜製程設備廠天虹、半導體檢測分析廠商汎銓等都積極做好準備，助力台積電鞏固先進製程全球領導地位。

早就問世的晶背供電隨著AI需求火熱浮出檯面，除了台積電對外發表超級電軌技術，預計2026年量產，二大敵手英特爾（Intel）、三星（Samsung）也來勢洶洶，業界人士透露，英特爾今年2月曾在美國以晶圓柱（PowerVia）為名，宣布把晶背供電運用於今年底將推出的20埃米製程；而三星也預計於明年將此技術用於20埃米，超車台積電的企圖相當明顯，卻也因此衍生晶圓減薄與埃米高階檢測服務，讓中砂、汎銓因此受惠。

「你看這個位置(孔徑)，蝕刻完旁邊可能會有皺紋(縫隙)，要把金屬填進去要連續均勻，相當不容易，不小心洞破了，電流就過不去。」天虹科技執行長易錦良指著矽鑽孔示意圖說明，晶背供電每一道技術環節都非常重要，而對公司來說，如何專心地把孔洞上的電路鍍好，同時把導線（Metal）均勻地鍍上，正是切入晶背供電的兩大目標(商機)。